Elektrische Eigenschaften

Der spezifische elektrische Widerstand von undotiertem Diamant ist bei Raumtemperatur auf Grund der großen Bandlücke von 5,45 eV zwischen Valenz und Leitungsband rund 10 Größenordnungen höher als der von monokristallinem Reinst-Silizium. Dotierungen mit Akzeptoratomen (z.B. Bor) für p-leitenden Diamant werden seit einigen Jahren beherrscht. Die Erzeugung von n-leitendem Diamant stellt dagegen noch eine Herausforderung dar. Bei geringen Dotierstoffkonzentrationen beträgt die Ladungsträgerbeweglichkeit im Diamant für Elektronen 2200 cm2/Vs und für Löcher 1600 cm2/Vs und ist damit rund 1,5 bzw. 2,7 mal größer als in Silizium.